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靜電放電發(fā)生器模擬器(HBM/MM部分)EDS 10IC針對人體模型(HBM)和機械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗的特點和要求專門設(shè)計，可以對LED、晶體管、IC等半導體器件進行靜電抗擾度的測試。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相應(yīng)標準的要求，同時*上述所有標準中最嚴酷等級的靜電電壓要求。
特點：
>全新三代控制平臺 ，觸摸屏智能化控制。
>自動識別阻容模塊，并調(diào)整電壓。
>最低電壓5V，1V步進精準調(diào)節(jié)電壓
>可完成單次或自動放電測試，可設(shè)置次數(shù)、頻率等參數(shù)。
測試連接示意圖1 EDS-HBM：
測試連接示意圖2 EDS-MM:
靜電放電發(fā)生器模擬器(HBM/MM部分)EDS 10IC
- Human Body Model (HBM)
- Machine Model (MM)
- ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
- JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
- ANSI /ESD-STM5.1 2007
- MIL-STD-883G 28 Feb.2006
- ANSI/JEDEC JS-001-2010
- JEDEC JESD22- A115C Nov.2010
技術(shù)參數(shù)
HBM 短路電流參數(shù)
放電電容
100pF
放電電阻
1500W
峰值電流Ips
0.17A+10% @250V
0.33A+10% @500V
0.67A+10% @1000V
1.33A+10% @2000V
2.67A+10% @4000V
上升時間
2～10ns
脈沖寬度
150 + 20ns
振鈴幅度
<15%峰值電流
HBM 500歐電阻電流參數(shù)
峰值電流Ipr
375～550mA @ 1000V
1.5～2.2A @ 4000V
Ipr/Ips
≥ 63%
上升時間
5～25ns
MM短路電流參數(shù)
放電電容
200pF
放電電阻
0W
峰值電流Ip1
0.44A+20% @25V
0.88A+20% @50V
1.75A+10% @100V
3.5A+10% @200V
7.0A+10% @400V
Ip2/Ip1
67%～90%
周期
66～90ns
MM 500歐電阻電流參數(shù)
峰值電流Ipr
0.85～1.2A @ 400V
100ns電流值 I100
0.23～0.40A @ 400V
I200/I100
30%～55%